|
Особенности• Несколько каналов Si• Низкая индуктивность• Высокая стойкость к короткому замыканию• Большой клиренс (10 мм) и длина пути утечки (20 мм)Типичные области применения. Импульсные...
|
5770 руб. от 03.08.12г.
|
|
|
Особенности• Несколько каналов Si• Низкая индуктивность• Высокая стойкость к короткому замыканию• Большой клиренс (10 мм) и длина пути утечки (20 мм)Типичные области применения. Импульсные...
|
5670 руб. от 03.08.12г.
|
|
|
Особенности• Несколько каналов Si• Низкая индуктивность• Высокая стойкость к короткому замыканию• Большой клиренс (10 мм) и длина пути утечки (20 мм)Типичные области применения. Импульсные...
|
10670 руб. от 03.08.12г.
|
|
|
Особенности• Несколько каналов Si• Низкая индуктивность• Высокая стойкость к короткому замыканию• Большой клиренс (10 мм) и длина пути утечки (20 мм)Типичные области применения. Импульсные...
|
11770 руб. от 03.08.12г.
|
|
Особенности• Несколько каналов Si• Низкая индуктивность• Высокая стойкость к короткому замыканию• Большой клиренс (10 мм) и длина пути утечки (20 мм)Типичные области применения. Импульсные...
|
5500 руб. от 03.08.12г.
|
|
Новые выпрямительные мосты SEMiX и корпусе высотой 17 мм. позволяющие осуществлять непосредственную связь с IGBT-модулями. открывают новые возможности по дальнейшему уменьшению габаритов мощных...
|
5300 руб. от 03.08.12г.
|
|
|
Новые выпрямительные мосты SEMiX и корпусе высотой 17 мм. позволяющие осуществлять непосредственную связь с IGBT-модулями. открывают новые возможности по дальнейшему уменьшению габаритов мощных...
|
12290 руб. от 03.08.12г.
|
|
|
Новые выпрямительные мосты SEMiX и корпусе высотой 17 мм. позволяющие осуществлять непосредственную связь с IGBT-модулями. открывают новые возможности по дальнейшему уменьшению габаритов мощных...
|
9500 руб. от 03.08.12г.
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 13.08.12г.
|
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 13.08.12г.
|
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 13.08.12г.
|
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 13.08.12г.
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 14.08.12г.
|
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 14.08.12г.
|
|
|
Датчики серии E3F2Напряжение питания: 10...30 В Потребляемый ток не более: 30 мА Источник света инфракрасн. 880 нм (красн. 660 нм для E3F2-LS10) Электрическая защита: от КЗ нагрузки, от...
|
3120 руб. от 14.08.12г.
|
